Волоконный лазерный диод 1550 нм, 2 ГГц, 4 МВт CWDM InGaAsP MQW DFB

Диапазон 1550 нм InGaAsP MQW DFBЛазерный Диодиграет важную роль в оптоволоконной связи и технологиях зондирования благодаря своим превосходным характеристикам. Технологические инновации и расширение сферы применения продолжают способствовать прогрессу в области оптоэлектроники.

Функции:
Структура квантовых ям. Используя технологию множественных квантовых ям (MQW), эффективность и стабильность излучения света повышаются за счет наложения нескольких слоев квантовых точек.
Механизм распределенной обратной связи. Лазеры с распределенной обратной связью (DFB) способны обеспечивать стабильную выходную длину волны, что имеет решающее значение для поддержания качества сигнала в системах оптической связи.
Компактная упаковка: передовая технология лазерной сварки используется для создания упаковки типа «бабочка», что делает лазер компактным и небольшим по размеру, что упрощает интеграцию в различные оптоэлектронные устройства.
Высокая выходная мощность: некоторые DFB-лазеры с длиной волны 1550 нм могут достигать выходной мощности 138 мВт в непрерывном режиме работы при комнатной температуре, демонстрируя хорошие основные выходные характеристики в поперечной моде.
Герметичная упаковка. Герметичная упаковка может защитить лазер от внешней среды и повысить его надежность и стабильность.
Высокоточный контроль температуры: встроенный полупроводниковый холодильник обеспечивает высокоточный контроль температуры для обеспечения стабильной мощности и длины волны лазера.

Основные приложения включают в себя:
Оптоволоконная связь. В качестве основного источника света в системе оптоволоконной связи он используется для передачи сигналов данных.
Волоконно-оптические датчики: в области волоконно-оптических датчиков их можно использовать в качестве идеального источника света благодаря узкой ширине линии и высокой стабильности.
Световой прибор: используется в оптических приборах, таких как оптические рефлектометры во временной области (OTDR), для обеспечения точных источников испытательного света.

Полоса 1550 нм играет чрезвычайно важную роль в области оптической связи:
Окно минимальных потерь: диапазон 1550нм часто называют окном минимальных потерь или окном нулевых потерь оптического волокна. На этой длине волны затухание кварцевого волокна наименьшее, примерно меньше или равно 0,3 дБ/км. Это делает длину волны 1550 нм идеальной для передачи на большие расстояния и с высокой эффективностью, поскольку она может передаваться на большие расстояния без необходимости частого усиления сигнала.
Роль систем оптической связи. В нынешних и будущих системах оптической связи полоса 1550 нм играет ключевую роль. По сравнению с диапазоном 1310 нм, диапазон 1550 нм не только имеет низкие потери, но и имеет определенные преимущества в управлении дисперсией. Кроме того, он также широко используется в городских сетях, междугородных, сверхдальних и подводных оптических кабельных системах. В частности, в технологии мультиплексирования с разделением по длине волны (WDM) C-диапазон (1530–1565 нм) показывает самые низкие потери в отрасли. Один из основных вариантов.
Сравнение с другими диапазонами: по сравнению с диапазонами 850нм и 1310 нм потери в волокне в диапазоне 1550 нм ниже. Потери на длине волны 850 нм достигают 2,5 дБ/км, а потери на длине волны 1310 нм составляют около 0,4 дБ/км. Поэтому в приложениях, требующих передачи на большие расстояния, более популярен диапазон 1550 нм. В то же время безопасность человеческого глаза в диапазоне 1550 нм также позволяет широко использовать его в радарах, датчиках, средствах связи, биомедицине и других областях.

Диапазон 1550 нм стал решающим диапазоном в оптоэлектронной промышленности благодаря его характеристикам с низкими потерями при передаче по оптоволоконному кабелю и потенциалу его применения в различных системах оптической связи. Поскольку технологии продолжают развиваться, важность этой полосы в будущем будет еще больше возрастать.

Лазерный диод CWDM InGaAsP MQW DFB с полосой пропускания 2 ГГц и мощностью 4 мВт в диапазоне 1550 нм широко используется в волоконно-оптических системах связи и волоконно-оптических сенсорных системах.

Приложение:
Волоконно-оптическая связь: поскольку его длина волны находится в окне с наименьшими потерями оптоволоконной передачи, этот лазерный диод можно использовать для эффективной передачи данных на большие расстояния. Их применение особенно заметно в городских сетях, междугородных и подводных оптических кабельных системах, особенно в технологии мультиплексирования с разделением по длине волны (WDM), которая может обеспечить возможности связи с высокой пропускной способностью.
Волоконно-оптическая сенсорная система: в области волоконно-оптических датчиков лазерный диод с длиной волны 1550 нм может использоваться в качестве идеального источника света из-за его узкой ширины линии и высокой стабильности. Эти лазеры также показали отличные характеристики в лазерной локации и источниках затравочного света.
Тестирование оптической сети. Этот тип лазерного диода также можно использовать для тестирования систем CWDM и DWDM, чтобы гарантировать производительность и совместимость компонентов оптической сети. Их высокая выходная мощность и встроенный оптический изолятор обеспечивают точный источник тестового света, который помогает поддерживать и оптимизировать производительность оптических сетей.
Высокоскоростные оптические сети связи: хотя о применении полосы прямой модуляции 2 ГГц в настоящее время широко не сообщается, лазерные диоды InGaAsP MQW DFB теоретически обладают возможностями модуляции до 40 ГГц, что означает, что они имеют высокий потенциал применения в будущих высокоскоростных оптических системах. сети связи.
Фотонная интеграция и оптические вычисления. Характеристики этих лазеров, особенно высокоскоростные, открывают им важные перспективы применения в области фотонной интеграции и оптических вычислений. В этих областях лазеры могут одновременно выдавать оптические и электрические сигналы, обеспечивая множество функций и возможностей применения.
Исследования и разработки полупроводниковых лазеров. Исследования и разработки лазерных эпитаксиальных пластин и лазеров в диапазоне 1550 нм также являются важной областью применения. Например, лазерные эпитаксиальные пластины на основе InP могут охватывать все длины волн оптоволоконной связи, а материалы AlGaInAs в качестве квантовых ям могут обеспечить высокую мощность и широкую полосу пропускания.
Полупроводниковый лазер с поперечной модой. Исследования по созданию мощного полупроводникового лазера с поперечной модой на основе AlGaInAs/InP с длиной волны 1550 нм также являются важным направлением применения. Эти лазеры демонстрируют хорошую эффективность наклона и выходную мощность в непрерывном режиме работы при комнатной температуре, демонстрируя свой потенциал для практического применения.

Лазерный диод CWDM InGaAsP MQW DFB, 1550 нм, 2 ГГц, 4 МВт, имеет широкие перспективы применения в области волоконно-оптической связи, волоконно-оптического зондирования, тестирования оптических сетей и т. д., а с развитием технологий его применение в высокоскоростных оптических сетях связи, фотонных интеграция и оптические вычисления и другие области Он также будет продолжать расширяться.

Лазерный диод CWDM InGaAsP MQW DFB с длиной волны 1550 нм, 2 ГГц, 4 МВт играет жизненно важную роль в волоконно-оптической связи. Благодаря длине волны в окне с наименьшими потерями, возможности модуляции с широкой полосой пропускания и стабильной выходной мощности он оптимизирует высокоскоростную передачу данных на большие расстояния. Это незаменимый компонент источника света в современных сетях связи.

Контактная информация:

Если у вас есть какие-либо идеи, не стесняйтесь говорить с нами. Независимо от того, где находятся наши клиенты и каковы наши требования, мы будем следовать нашей цели, чтобы предоставить нашим клиентам высокое качество, низкие цены и лучший сервис.