XLD905-75ВПИмпульсный лазерный диод высокой мощности 905 нм мощностью 75 Втиспользует технологию многослойного туннельного соединения для достижения высокой выходной мощности 75 Вт. Он имеет в общей сложности 10 pn-переходов, расположенных друг над другом. Каждый p-n переход отвечает за усиление выходной мощности предыдущего перехода. Укладка pn-переходов приводит к большей площади контакта между электродами и полупроводниковыми слоями, что приводит к более высокой выходной мощности. Технология многослойных туннельных переходов является многообещающим подходом к созданию лазерных диодов с высокой выходной мощностью.
| Параметры | Символ | Единица | Типичное числовое значение |
| Оптический параметр (@25 градусов) | |||
| центральная длина волны | λ | нм | 905 |
| толерантность | λo | нм | ± 10 |
| спектральная ширина | △λ | нм | Меньше или равно 5 |
| рабочий режим | Импульсный | ||
| власть | По | W | 75 |
| светящийся размер | L | μm∙ μm | 200*10 |
| угол расходимости луча | θ⊥ | степень | Меньше или равно 28 |
| θ∥ | степень | Меньше или равно 10 | |
| направленность луча | θ | степень | Меньше или равно ±1,5 |
| Электрические свойства (при 25 градусах) | |||
| пороговый ток | Ит | A | 1 |
| рабочий ток | Иоп | A | 30 |
| рабочее напряжение | Воп | V | 24 |
| ширина рабочего импульса | t | нс | 100 |
| частота повторения | f | кГц | 5 |
| рабочий цикл | D | - | 0,05 процента |
| Тепловое свойство | |||
| рабочая температура | Тс | ºC | -40~70 |
| температура хранения | ЦТГ | ºC | -40~85 |
| температурный коэффициент длины волны | -- | нм/ºC | 0.28 |
| температура сварки | Ц | ºC | 260 |
Импульсный лазерный диод высокой мощности 905 нм мощностью 75 Втупаковка лазерного диода необходима для поддержания стабильности и надежности лазерного диода. Традиционный подход к упаковке заключается в герметичном закрытии лазерного диода в металлическом корпусе. Однако такой подход является дорогостоящим и трудоемким. Появление недорогой пластиковой упаковки открыло новые горизонты в области лазерных диодов. Пластиковая упаковка не только экономична, но и позволяет ускорить производство.Импульсный лазерный диод высокой мощности 905 нм мощностью 75 Втиспользует недорогую пластиковую упаковку для снижения общей стоимости лазерного диода. Упаковка разработана таким образом, чтобы быть экономичной, простой в использовании и очень надежной. Пластиковая упаковка обеспечивает достаточную защиту лазерного диода и помогает поддерживать его стабильность.
Размер источника света лазерного диода равен физическому размеру резонатора полупроводникового лазера.Импульсный лазерный диод 905 нм мощностью 75 Втимеет размер источника света 200 мкм * 10 мкм. Небольшой размер источника света очень полезен в приложениях, где требуется небольшой размер луча. Небольшой размер луча обеспечивает высокое разрешение и высокую фокусировку лазерного излучения.Импульсный лазерный диодявляется отличным выбором для таких приложений, как лазерное сканирование, где требуется луч высокого разрешения.
|
|
|
| 1.Власть - Текущие отношения | 2. Связь тока с напряжением |
|
|
|
| 3. Кривая спектра |
4. Кривая длины волны/температуры |
|
|
|
|
Выносливость
|
6. Светящийся эффект изображения |
|
|
|
|
Угол вертикального расхождения
|
Горизонтальный угол расхождения
|
Контакт:
Электронная почта:info@loshield.com
Тел.: 0086-18092277517
ФАКС: 86-29-81323155
WhatsApp:0086-18092277517
Фейсбук
LinkedIn
Твиттер
YouTube
Инстаграм
горячая этикетка : Импульсный лазерный диод высокой мощности 905 нм, 75 Вт, Китай, производители, поставщики, фабрика, индивидуальные, оптовая торговля, лучшие, дешевые, профессиональные, продажа, рядом со мной
